neprohogi (neprohogi) wrote,
neprohogi
neprohogi

Categories:

БОЛЬШОЙ КОСМИЧЕСКИЙ ОБМАН США. ГЛАВА 68. "УСПЕХИ " США В ДАЛЕКОМ КОСМОСЕ - ПИСЬМА ИНОПЛАНЕТЯНАМ.

АМС США запущенные в эти годы достигли пределов Солнечной Системы, СССР такого позволить себе не мог. США отправили письма инопланетянам, мол прилетайте , если что мы вас ждем не дождемся. Письма были на золотой пластинке с изображением обнаженных мужчины и женщины, ну чтобы тупые инопланетяне не перепутали человека с каким -нибудь кенгуру, те тоже на двух лапах бегают, мало ли перепутать можно запросто. И в связи с тем, что вся пилотируемая "космонавтика" США родом из 60-х и 70-х оказывается пустышкой, возникают обоснованные сомнения в подлинности "успехов" США в далеком космосе .
Программа "Пионер" оказывается была основана для изучения Луны: https://ru.m.wikipedia.org/wiki/
" Научная цель запуска первых трёх кораблей серии состояла в изучении Луны и фотографировании её обратной стороны. Политической же целью было вернуть США статус самой развитой технической державы, который покачнулся после запуска Советским Союзом первого спутника.
«Пионер-0» — попытка запуска 17 августа 1958 года (безуспешная — ракета-носитель взорвалась при взлёте).
«Пионер-1» — запуск 11 октября 1958 года. Это была траектория сближения, без использования старта с орбиты. Из-за недобора скорости аппарат вернулся на Землю, пролетев только треть расстояния до Луны, и сгорел в атмосфере.
«Пионер-2» — запуск 8 ноября 1958 года. Летел по траектории сближения, без использования старта с орбиты. Из-за неисправности третьей ступени аппарат вернулся на Землю.
Миссией следующих двух аппаратов было изучение Луны с пролётной траектории:
«Пионер-3» — запущен 6 декабря 1958 года. Полёт проходил по траектории сближения, без использования старта с орбиты. Из-за недобора скорости не достиг Луны, максимальное удаление от Земли составило 102 320 км. В ходе полёта обнаружил второй радиационный пояс Земли. Сгорел в верхних слоях атмосферы через день после запуска.
«Пионер-4» — запущен 3 марта 1959. Аппарат аналогичен «Пионеру-3». Исследовал радиационную обстановку около Луны с пролётной траектории. Минимальное расстояние до Луны составило 60 050 км, что не позволило задействовать фотоэлектрический сенсор и получить фотографии. После пролёта Луны вышел на гелиоцентрическую орбиту, став первым американским аппаратом, развившим вторую космическую скорость.
Далее НАСА поставило задачу вывести аппараты на окололунную орбиту, получить телеизображения Луны и измерить её магнитное поле. Были построены более усовершенствованные зонды нового поколения, но следующие четыре запуска были неудачными. Аппараты индексов не получили.
«Пионер П-1» — попытка запуска 24 сентября 1959 года.
«Пионер П-3» — попытка запуска 26 ноября 1959 года. Аппарат упал в Атлантический океан из-за разрушения обтекателя ракеты-носителя.
«Пионер П-30» — попытка запуска 25 сентября 1960 года. Отказ второй ступени ракеты-носителя.
«Пионер П-31» — попытка запуска 15 декабря 1960 года. Ракета-носитель взорвалась на 68-й секунде полёта на высоте 13 км.
Запуски первых аппаратов серии «Пионер» к Луне оказались не слишком удачными, и дальнейшее изучение спутника нашей планеты продолжили аппараты серий «Сервейер» и «Лунар орбитер»"
"Хорошая" статистика: 1 относительный успех из 9, да и успехом такой полет мимо Луны назвать сложно.
И вдруг потрясающий успех, и не один, и главное долголетие:
"Исследования межпланетного пространства
КА «Пионер-6».
Следующие «Пионеры» обладали удивительным долголетием. Например, аппарат «Пионер-6», запущенный 16 декабря 1965 года, до сих пор числится среди работоспособных. Аппараты «Пионер-5» — «Пионер-9» изучали природу возникновения солнечного ветра, космические лучи, магнитное поле Земли.
«Пионер-5» — запущен 11 марта 1960 года. Занимался исследованиями межпланетного пространства между орбитами Земли и Венеры на расстоянии свыше 100 000 км от Земли. В частности, впервые были проведены измерения космических лучей в условиях, полностью свободных от влияния атмосферы Земли.
«Пионер-6» («Пионер A») — стартовал 16 декабря 1965 года. Кроме основных измерений, в 1973 году исследовал комету Когоутека. «Пионер-6» поставил рекорд долгожительства среди космических аппаратов — последний сеанс связи с ним был проведён в 2000 году. Связь с аппаратом поддерживалась до середины 1990-х годов, в декабре 2000 года с «Пионером-6» был проведён успешный сеанс связи в честь 35-летия его запуска. Предположительно, аппарат работоспособен до сих пор.
«Пионер-7» («Пионер B») — запущен 17 августа 1966 года. Искал следы атмосферы Луны. Кроме того, это американский зонд, максимально приблизившийся к комете Галлея. Связь поддерживалась до середины 1990-х годов.
«Пионер-8» («Пионер C») — запущен 13 декабря 1967. Дополнительно занимался изучением слабых магнитных полей. Связь поддерживалась до середины 1990-х годов.
«Пионер-9» («Пионер D») — стартовал 8 ноября 1968 года. Был работоспособен до 1983 года.
«Пионер E» — попытка запуска 27 августа 1969 года. Из-за неисправности ракеты-носителя зонд упал в Атлантический океан ".
И все это после очевидных провалов. Проверить невозможно то, что лгут лгуны из НАСА.
А так как лгунов никто не собирается обличать то почему бы лгунам не отправить свои аппараты ракетами , которые не могли сообщить аппаратам даже вторую космическую скорость, в дальний космос за пределы Солнечной системы:
https://ru.m.wikipedia.org/wiki/
"Изучение дальнего космоса
КА «Пионер-10» в процессе сборки.
Аппараты «Пионер-10» (стартовал в марте 1972 года) и «Пионер-11» (стартовал в апреле 1973 года) — это самые известные аппараты серии. Они первыми достигли третьей космической скорости, пересекли пояс астероидов и исследовали дальний космос.
«Пионер-10» пролетел мимо Юпитера в декабре 1973 года. Основной его задачей было изучение условий в окрестностях Юпитера и получение фотографий планеты. Последний сигнал от Пионера-10 был получен 23 января 2003 года.
«Пионер-11» миновал Юпитер в 1974 году и продолжил полет. В 1979 году он достиг Сатурна. В сентябре 1995 года контакт с аппаратом был потерян.
В 1978 году в космос отправились последние два зонда серии «Пионер». Это были зонды для исследования Венеры — «Пионер-Венера-1» и «Пионер-Венера-2»."
Что должно было ждать в далеком космосе подобный аппарат ? Логично разделить траекторию движения такого аппарата на три этапа. Первый этап такого полета это движение аппарата в районе Земли, где большое влияние на аппарат оказывает тепловая энергия Солнца, при этом существует разница температур между теневой стороной аппарата и освещенной стороной.
Значит необходима система регуляции тепла, там где теневая сторона требуется нагревание аппаратуры, там где освещенная сторона, требуется охлаждение, теплоотвод. Необходима герметичность от вакуума, хорошая теплоизоляция аппаратуры. Автономный источник теплой и электрической энергии.
Второй этап полета , полет вблизи Юпитера, это мощная гравитация, аппарат может стать спутником Юпитера, мощное магнитное поле, это гарантированное повреждение аппаратуры, радиационные пояса Юпитера опаснее для аппаратуры чем аналогичные пояса Земли. Это значит, что аппарату нужен , даже с учетом гравитационных маневров, двигатель с топливом, которое не замерзает при низких температурах, защита от радиации и экранировка от мощного магнитного поля. Кроме этого на поверхности Юпитера обнаружено следующее явление: "Орбитальным телескопом «Чандра» в декабре 2000 года на полюсах Юпитера (главным образом, на северном полюсе) обнаружен источник пульсирующего рентгеновского излучения, названный Большим рентгеновским пятном." А это значит, что нужна соответствующая защита и от рентгеновского излучения, которое естественно не оказывает благоприятного воздействия на электронику.
Третий этап такого полета проходил бы в условиях дальнего космоса, глубокого вакуума, и низких температур, при которых замерзает даже жидкие газы. Если конструкция металлическая то при низких температурах возможны деформации и разрывы в металлических конструкциях и соединениях.
Краткие напоминания из Теории Физики вакуума, теоретические обоснования , с подтверждением практических данных, воздействия магнитного поля , нейтронов, гамма излучения, микроволнового излучения, рентгеновского излучения на электронную аппаратуру.
Кратко о воздействии космического вакуума на электронику и материалы:
http://www.krivda.net/books/i.t.belyakov_yu.d._borisov-osnovy_kosmicheskoi_tehnologii_-_2.1._vliyanie_kosmicheskogo_vakuuma_9
http://epizodsspace.airbase.ru/bibl/znan/1986/06/6-kos-vak.html
Нусинов М.Д. Влияние космического вакуума на материалы и устройства научной аппаратуры
М. Д. Нусинов, кандидат технических наук.КОСМИЧЕСКИЙ ВАКУУМ И НАДЕЖНОСТЬ КОСМИЧЕСКОЙ ТЕХНИКИ



"Теплофизические и электрофизические явления. Как уже отмечалось, в космическом вакууме передача тепла происходит только путем лучистого теплообмена и практически отсутствует теплообмен за счет конвекции и теплопроводности среды. Передача тепла за счет теплопроводности затруднена даже через соприкасающиеся между собой части космического аппарата, поскольку из-за шероховатости поверхностей на них имеется множество микронеровностей с вакуумными промежутками между ними.
На околоземной орбите теплопередача за счет теплопроводности газа все же имеет место не в столь разреженной среде земной атмосферы. Однако на достаточно высоких орбитах, в более разреженных слоях, теплопроводность воздуха сильно уменьшается с понижением атмосферного давления. Например, при давлении порядка 10–2 Па теплопроводность воздуха равна 0,01% теплопроводности воздуха на уровне моря (при так называемом нормальном атмосферном давлении).
Вообще говоря, из кинетической теории газов известно, что теплопроводность газа в широком диапазоне не зависит от давления. Но когда средняя длина свободного пробега молекул газа становится больше характерных размеров системы (т. е. космического аппарата), теплопроводность начинает пропорционально уменьшаться с уменьшением давления. Затем наступает молекулярный режим теплопередачи, когда теплопроводность газа является пренебрежимо малой величиной.
Теплообмен между газовой средой и твердой поверхностью характеризуется так называемым коэффициентом аккомодации тепловой энергии, который существенно зависит от состояния поверхности. Этот коэффициент сильно различается при отсутствии и, наоборот, наличии адсорбированных, окисных или других подобных пленок на поверхности космического аппарата; например, для гелия на «чистом» вольфраме коэффициент аккомодации тепловой энергии равен 0,017, а на вольфраме с адсорбированной пленкой – 0,5. Поэтому от того, есть или нет такая пленка на поверхностях, зависит также тепловой режим космического аппарата.
Таким образом, массопотери и газовыделение материалов космического аппарата в космическом вакууме существенно изменяют свойства, связанные с теплофизическими характеристиками материалов. Претерпевают изменения и диэлектрические характеристики материалов, в частности электропроводность.
На поверхностях диэлектриков в космическом пространстве могут накапливаться значительные электрические заряды, что способствует возникновению разрядов между токонесущими частями. Наиболее опасной зоной давлений для этого является интервал значений 1 – 100 Па. Кроме того, электропроводность поверхностных слоев (в зависимости от их физического состояния) может приводить к поверхностным токам утечки.
Когда процессы ионизации отсутствуют и каждая молекула газа остается электрически нейтральной, газ в целом является совершенным изолятором, и в этом случае ток в межэлектродных промежутках всегда отсутствует. При приложении высокого напряжения некоторые электроны начинают вырываться из атомов молекул и в какой-то момент существуют самостоятельно в межэлектродном промежутке, пока не попадут на электроды или пока не встретятся с другой молекулой (атомом) и в результате рекомбинируют. Если при этом носители тока (электроны) образуются чаще, чем исчезают (рекомбинируют), то газ в межэлектродном промежутке становится электропроводящим"

На рис. 9 представлены зависимости напряжения электрического пробоя от величины произведения давления газа на межэлектродное расстояние, известные как графические отображения закона Пашена (кривые Пашена). Эти кривые лишь качественно иллюстрируют явление, поскольку реальная такая зависимость во многом определяется площадью поверхности и материалом электродов. Помимо этого при испарении с последующей конденсацией вещества на более охлажденных участках неизолированных электрических цепей в космическом вакууме возникают токи утечки, тем самым нарушая режим работы электронных схем.
К числу условий космической среды, способствующих возникновению разрядов и пробоев в бортовых приборах космического аппарата, следует отнести также наличие различных космических излучений (как электромагнитных, так и корпускулярных).
Таким образом, при эксплуатации электронного и электротехнического оборудования космических аппаратов в условиях космического вакуума появляются токи утечки, разряды, пробои и другие нежелательные электрофизические явления. Поэтому для нормальной эксплуатации электронные блоки и узлы космического аппарата обычно прикрывают полугерметичным экраном («закрытые» узлы), который, помимо прочего, защищает их и от воздействия космических излучений и обеспечивает лучший тепловой режим.
Правда, следует сказать, что при работе аппаратуры в космическом вакууме будет также понижаться и давление в полости под такими экранами, и в некоторый момент оно может достичь уровня 1 – 100 Па, соответствующего минимуму кривой Пашена (см. рис. 9). Если в этот момент в составе бортовой аппаратуры имеются включенные высоковольтные межэлектродные промежутки, то в них могут возникать пробои и разряды, опасные для работы всей аппаратуры в целом".
Проще говоря держать электронику открытой и не герметичной в космическим вакуумом это значит создавать большие проблемы для ее работы.


Меры по защите, которые предлагает автор, годятся для Космических аппаратов , летающих в пределах 1а.е от Солнца:

Для космического аппарата в далеком космосе , где нет такого количества тепла и царствуют низкие температуры, разгерметизация для теплоотвода может кончится плачевно. И смазка никакая тоже не пригодится , без подогрева и теплоизоляции такая конструкция просто "замерзнет", вместе со смазкой.
О воздействии сильного магнитного поля на электронику известно давно, вот примеры описания:
http://magnitslon.ru/bezopasnost-ispolzovaniya-magnitov.html
"Сильное магнитное поле может повредить электронное оборудование и магнитные носители информации. Постоянный контакт электроники с магнитным изделием приводит к необратимым поломкам. Не держите магнитные изделия вблизи электронного оборудования, компьютерных дисков, кредитных карт, видеолент, и других магнитных СМИ."
http://psibook.com/library/1299/5.html
"Оказалось, что большой интерес представляет изучение изменения сопротивления различных металлов в сильных магнитных полях; в некоторых случаях возрастание сопротивления составляло от 20 до 30 процентов, в то время как в обычных полях возрастание не превышало долей процента. Более того, мы обнаружили, что в сильных полях наблюдается линейный закон возрастания сопротивления с возрастанием поля, в то время как в обычных полях возрастание сопротивления пропорционально квадрату поля. Мы измерили также магнитную восприимчивость различных металлов в сильных полях. Для этой цели были разработаны и сконструированы специальные весы с собственной частотой около 2000—3000 колебаний в секунду. Так как в наших опытах магнитные силы были примерно в 100 раз больше, чем обычно, то весы были достаточно чувствительны, чтобы измерять восприимчивость большинства веществ.
Другим направлением исследований явилось изучение магнитострикции. В обычных полях это явление известно лишь для ферромагнитных веществ, но в сильных полях мы обнаружили, что оно достаточно заметно в различных других веществах, таких как висмут, олово и графит, которые имеют кристаллическую структуру низкой симметрии. Кристаллы висмута в сильных магнитных полях растягиваются в направлении тригональной оси и сжимаются в направлениях, перпендикулярных к ней."
Другими словами магнитные мощные поля Юпитера могли легко привести к возрастанию сопротивления в в электронном оборудовании , с последующей ее поломкой.
О влиянии радиации, в данном случае радиации РПЮ, на электронное оборудование:
http://vestinauki.ru/2279-radiacija-tem-opasnee-dlja-elektroniki-cem-ta-miniatiurnee
Действие проникающей радиации на изделия электронной техники.Автор: Е. А. Ладыгин
"
Действие радиации на конструкционные материалы изделий электронной техники
В настоящее время установлено [26—36], что фундаментальные параметры реальных кристаллов (электро- и теплопроводность, меха­нические, оптические и магнитные свойства, коэффициенты диффу­зии и др.) связаны с точечными дефектами. Следовательно, эти дефек­ты (и их вторичные образования) будут определять комплекс электри­ческих параметров тех элементов электронной техники, основой которых является кристаллическая структура.
В результате воздействия ядерных излучений во всех твердых те­лах независимо от типа структуры могут происходить смещения ато­мов с образованием вакантных узлов и внедренных атомов. По мере на­копления этих дефектов, когда их количество становится сравнимым с исходным количеством, присущим этому материалу или изделию, электрофизические свойства начинают существенно «вменяться.
Действие радиации на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы
В настоящее время имеется значительное количество работ, по­священных исследованию механизмов деградации биполярных тран­зисторов при воздействии проникающего излучения. Часть из них широко обобщена, например в монографиях В. С. Вавилова, Н. А. Ухина [27] и Ф. Ларина [116].
Экспериментально доказано, что при облучении большинство параметров биполярных транзисторов изменяется. Однако среди них можно выделить основной — статический коэффициент передачи тока, уменьшение которого при облучении ограничивает радиационную стойкость многих классов схем на транзисторах .
В общем случае изменение этого параметра обусловлено изменением как объемных, так и. поверхностных свойств полупроводников. Как показано выше, излучения, теряющие основную часть своей энергии в процессе упругого рассеяния, создают, главным образом, радиационные дефекты в объеме полупроводника, что приводит к изменению времени жизни, концентра­ции и подвижности носителей заряда. Излучения, которые при прохож­дении через вещество теряют свою энергию за счет неупругого рассеяния, ионизируют газ в корпусе прибора, генерируют и возбуждают свободные носители заряда, что может привести к изменению поверх­ностных свойств полупроводников вследствие захвата генерируемых носителей поверхностными уровнями или осаждения заряженных ионов, на поверхность кристалла.
Действие радиации на пьезокварцовые материалы и изделия
Пьезокварцевые изделия являются наиболее ответственными функ­циональными элементами радиоэлектронной аппаратуры. Благодаря удачному сочетанию механических, электрических и оптических свойств кристаллический кварц занял исключительное положение в науке и технике (кварцевые высокостабильные генераторы, электри­ческие фильтры, ультразвуковые устройства). Кварц является соединением атомов кремния с атомами кислорода. Хотя окись крем­ния— широко распространенное на земле соединение, однако прозрач­ные кристаллы кварца, пригодные для использования в электронной промышленности, встречаются довольно редко."
http://vestinauki.ru/2279-radiacija-tem-opasnee-dlja-elektroniki-cem-ta-miniatiurnee
"Радиация тем опаснее для электроники, чем та миниатюрнее
Автор Антонина Кузьмина
Радиация может стать более серьёзной проблемой для современной микроэлектроники, чем считалось. Если быть совершенно точным, полагают исследователи из Университета Вандербильта (США), по крайней мере в десять раз более серьёзной.
Учёные, использовавшие метод когерентной акустической фононной спектроскопии для анализа воздействия ионизирующей радиации на полупроводниковую электронику, выявили, что по мере миниатюризации уязвимость транзисторов растёт вплоть до того, что отдельное устройство может быть выведено из строя единственным ионом."
Появляется еще одна проблема , в свете опять же американского открытия:
http://ufn.ru/ufn64/ufn64_7/Russian/r647c.pdf
"Наблюдение излучения Юпитера в микроволновом диапазоне привело к следующему удивительному открытию: в 1958 г. Слонейкер 6 · 7 обнаружил нетепловое излучение Юпитера на волне 10 см"
Про воздействие микроволнового излучения на полупроводниковые приборы:
http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/07/p916-919.pdf
"микроволновое излучение приводит к существенной модификации примесно-дефектной структуры исследуемых полупроводников"
Читаем материалы о воздействии рентгеновского излучения на микросхемы:
http://www.ostec-group.ru/upload/iblock/df6/df65a676004293c72998ea890e4de1ce.pdf
Игорь Проказов. Воздействие рентгеновского излучения на электронные устройства и компоненты
"Механизм повреждения
ЧТО ЖЕ ПРОИСХОДИТ С МИКРОСХЕМОЙ, КОГДА ОНА ПОДВЕРГАЕТСЯ ВОЗДЕЙСТВИЮ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ?
Механизмы повреждений различаются от технологии к технологии, например, для современных микросхем важны радиационно-индуцированные токи утечки, а в старых технологиях важную роль играл сдвиг порогового напряжения транзистора. К примеру, при прохождении рентгеновского излучения через транзистор в подзатворном диэлектрике начинает накапливаться заряд, который будет влиять на работу транзистора как дополнительно приложенное напряжение (или как сдвиг порогового напряжения). В результате транзистор будет постоянно «открыт», что естественно приведет к потере работоспособности схемы. Также уменьшение порогового напряжения транзистора приведет к превышению общего тока потребления микросхемы из-за токов утечки".
Аналогичное содержание здесь: ВОЗДЕЙСТВИЕ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА И КОМПОНЕНТЫ. И. А. Проказов1, С. И. Румянцев2, 1ИОЯФ НИЦ Курчатовский институт, г. Москва 2 Институт Радиотехники и Электроники им. В.А. Котельникова РАН, г. Москва
vliyanie-rentgenovskogo-izlucheniya-na-parametry-poluprovodnikovyh-izdeliy
АНТОНОВА Екатерина Александровна
ВЛИЯНИЕ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ
Самое интересное вот это:
"На биполярные транзисторы воздействовали рентгеновским излучением дозой 3600 Р и общей дозой 9000 Р, низкотемпературным отжигом (хранение при комнатной температуре 21 сут.), ЭСР напряжением 1700 В по 5 воздействий положительной и отрицательной полярности на
каждый переход транзистора, отжига 100 С в течение 1ч половины партии и повторного рентгеновского излучения общей дозой 14400 Р.
Значение /г21Э транзисторов КТ3102ЖМ в процессе экспериментов и увеличивалось, и уменьшалось (в среднем на 1,6%), а после повторного рентгеновского излучения общей дозой 14400 Р уменьшилось у 40 % приборов (№ 3, 4, 8, 9)"
Как решали все перечисленные проблемы американцы при создании своих "чудо" аппаратов ничего не известно. По простой причине видимо, американцы никак не решали указанные проблемы, потому, что полеты этих АМС США были мифическими.
Subscribe

  • Post a new comment

    Error

    Anonymous comments are disabled in this journal

    default userpic
  • 2 comments